技術創新
以科技洞悉未來，唯創新賦能發展
三安擁有國家級企業技術中心、博士后科研工作站、省市級重點工作室、院士工作站等國家級一流研發平臺和CNAS/NVLAP國際標準檢測平臺。
公司擁有的外籍專家、博士，高工、碩士，光電子專業本科等研發人才眾多。未來，持續加大研發力度，不斷科技創新，追求卓越發展。
4700+
研發人員
10+億元
平均年投入研發費用
10 %
平均年研發投入比例
研發中心
全產品覆蓋布局，中、美、日、歐洲等全球多個國家和地區布局，為公司構筑堅實的知識產權壁壘。
980+
國際專利
75%+
發明專利占比
4300+
產品專利總量
技術成果
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照明自主可控的高可靠、高光效白光LED，@25mA條件下，發光效率超過290lm/W 。
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顯示開發出邊長小于等于5μm的Micro LED產品。
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背光大于等于160度大角度，高可靠Mini 背光產品。
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車用4A高電流密度下, 車規級應用3000小時;1A驅動電流，工作電壓下降至3.02V,國際領先水準。
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植物照明660nm紅光 WPE 達到65%以上 (@350mA 裸晶） 達到國際水準。
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紫外波段涵蓋260nm~415nm,大功率最高可達150mW（@350mA）。
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激光技術攻關超8瓦大功率 InGaN藍光激光器，達 到國際水準。
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先進砷化鎵微波射頻代工平臺提供先進微波射頻制程技術，主要包含HBT，pHEMT，組成業內領先，覆蓋頻譜全面的微波射頻制程技術型譜，提供先進便利的射頻技術平臺與服務助力產品開發。
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寬禁帶半導體垂直整合產業鏈打造了從長晶、襯底、外延、芯片到封裝測試的碳化硅垂直整合產業鏈，加速功率器件產業化和高能效應用的普及。
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全波長全速率收發光芯片型譜提供全波長全速率的VCSEL芯片及陣列、DFB激光器、雪崩光電二極管(APDs)、光電二極管、監控光電二極管(MPDs)等高速光學產品的晶圓制造。
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自研襯底的垂直整合濾波器制造平臺濾波器已通過全球射頻前端主流平臺驗證，擁有國內多家領先的模塊和手機合作伙伴，具備高質量4寸鉭酸鋰襯底生產能力，器件級小型化、CPS、晶圓級WLP封裝能力。